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DMP1096UCB4
1.2
1.0
0.8
5
4
3
T A = 25°C
0.6
I D = -1m      A
2
0.4
0.2
I D = -250μA
1
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
1,000
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
f = 1MHz
T A = 150°C
100
1,000
100
C iss
C oss
C rss
10
1
0.1
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
10
0
2 4 6 8 10
12
0.01
0
2 4 6 8 10
12
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.9
D = 0.05
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
D = 0.02
R θ JA = 150°C/W
0.01
D = 0.01
D = 0.005
P(pk)
t 1
t 2
T J A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 2
-T
/t
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 11 Transient Thermal Response
DMP1096UCB4
Document number: DS31954 Rev. 7 - 2
4 of 6
www.diodes.com
December 2012
? Diodes Incorporated
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